模拟CMOS电路设计折中与优化  人文●社科

Binkley
电子工业出版社（2013-5）
79元 / 552页
9787121201882
标签： 2013  中国  简体中文 

本书从崭新的视角给出模拟CMOS电路设计的折中和优化方法， 提出了反型系数的概念， 推出采用反型系数、漏极电流和沟道长度作为器件和电路设计的三个选项的设计方法。全书分为两部分， 第一部分深入、细致地研究了三个选项对器件、基本电路各种性能的影响；对于诸如速度饱和、垂直电场迁移率减小、漏致势垒降低等短沟道效应以及热噪声、闪烁噪声和失配等高阶效应对器件和电路性能的影响给出较为深入、详细的介绍；在给出由基本物理概念推导得出公式的同时， 本书常会给出适合于手工计算的简单表达式， 以及设计选项对性能影响的变化趋势， 并配以预测或实测的图表。第二部分采用CMOS工艺结合典型电路（运算跨导放大器和微功耗， 低噪声前置放大器）设计进行实例介绍， 给出了各种情况下电路优化设计的结果和相应的分析。其中， 值得一提的是本书介绍了一种采用模拟CMOS设计、折中和优化电子数据表...