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超大规模集成电路先进光刻理论与应用  人文●社科

韦亚一
科学出版社(2016-6-1)
260元 / 558页
9787030482686
标签: 半导体  超大规模集成电路先进光刻理论与应用第九章  光刻  教材  集成电路  微电子所 

光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。在集成电路制造中,正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律得以继续。本书覆盖现代光刻技术的重要方面,包括设备、材料、仿真(计算光刻)和工艺。在设备部分,对业界使用的主流设备进行剖析,介绍其原理结构、使用方法、和工艺参数的设置。在材料部分,介绍了包括光刻胶、抗反射涂层、抗水涂层、和使用旋图工艺的硬掩膜等材料的分子结构、使用方法,以及必须达到的性能参数。本书按照仿真技术发展的顺序,系统介绍基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、亚曝光分辨率的辅助图形、光源-掩模版共优化技术和反演光刻技术。如何控制套刻精度是光刻中公认的技术难点,本书有一章专门讨论曝光对准系统和控制套刻精度的方法。另外,本书特别介绍新光刻工艺研究的方法论、光刻工程师的职责,以及如何协调各方资源保证研发进度。


作者介绍

2013年 – 至今: 中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师;国家科技重大专项“300mm晶圆匀胶显影设备”首席科学家(沈阳芯源微电子设备公司),2012年9月入选第八批千人计划。
2009年 – 2013年: 美国格罗方德纽约研发中心光刻经理。
2007年 – 2008年: 美国安智公司新泽西研发中心,高级科学家(Senior Staff Scientist)。
2001年 – 2007年: 德国英飞凌公司美国纽约研发中心,高级工程师(Senior/Staff Engineer)。
1998年 – 2001年: 美国能源部橡树岭国家实验室,博士后